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  • 檢索結果:共8筆資料 檢索策略: "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="發光二極體"


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    1

    多功能白光發光二極體
    • 光電工程研究所 /100/ 碩士
    • 研究生: 彭聖揚 指導教授: 蘇忠傑
    • 本篇論文是以增加白光發光二極體之功能性為研究目標,提出多晶封裝結構結合改良型全方位反射器與二氧化鈦光觸媒,製作兼具可變顏色和空氣淨化功能的白光LED。改良型全方位反射器是根據先前研究的全方位反射器去…
    • 點閱:257下載:13

    2

    以光學顯微鏡量測熱效應對發光二極體之影響
    • 電子工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 徐才竣 指導教授: 蘇忠傑
    • 發光二極體一般都以外部發光量的變化來探討其發光品質,我們將應用順向偏壓法去量測發光二極體的接面溫度,再以光學顯微鏡配合上高倍數的物鏡,聚焦至發光二極體內部,藉由輸入10mA至240mA的電流,進行熱…
    • 點閱:210下載:4

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    LED散熱基板之熱模擬分析與基板優化設計
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 曹中瀚 指導教授: 李三良
    • 本論文研究主要針對實驗室已開發之奈米碳管整合於矽散熱基板結構做近一步的熱模擬分析及製程步驟之優化改良,並提出利用高熱傳導之陶瓷材料碳化矽(SiC)及離子佈植氬原子的方式,來取代原先基板介電層採用之低…
    • 點閱:230下載:0
    • 全文公開日期 2017/10/31 (校內網路)
    • 全文公開日期 2062/10/31 (校外網路)
    • 全文公開日期 2062/10/31 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器
    • 電子工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 周子傑 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器,量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…
    • 點閱:324下載:0
    • 全文公開日期 2024/07/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/07/22 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/07/22 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    氮銦化鎵基發光二極體在脈衝電流操作下之電、光及熱性研究
    • 光電工程研究所 /106/ 碩士
    • 研究生: 莊志軒 指導教授: 蘇忠傑
    • 本研究目的是透過LED電特性及光譜間變化的關係對三波長晶粒的載流子運輸及複合方式進行分析,並且將研究的三波長晶粒採用多晶封裝結構配合螢光粉應用於聚魚燈,以水冷式LED燈管為架構模擬其散熱效果。 三波…
    • 點閱:227下載:1

    6

    徑向偏極化近紅外光 LED 環形燈之血管可視化應用研究
    • 電子工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 林治茗 指導教授: 蘇忠傑
    • 本論文是使用近紅外光波長之發光二極體(light emitting diode, LED)進行血管可視化成像之研究,使用三種不同波長的近紅外光晶粒進行實驗,光源使用16顆LED排列成環形平面結構以達…
    • 點閱:241下載:0
    • 全文公開日期 2026/07/31 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/07/31 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/07/31 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    不同摻雜物於層狀硒化鎵光電特性之影響研究
    • 應用科技研究所 /111/ 碩士
    • 研究生: 蘇彥彰 指導教授: 何清華
    • 硒化鎵 (Gallium Selenide, GaSe) 為 III-VI 族層狀半導體,不同層之間,由弱凡得瓦爾力 (Van der Waals force) 鍵結,使得層與層之間可以較容…
    • 點閱:187下載:0
    • 全文公開日期 2028/08/24 (校內網路)
    • 全文公開日期 2028/08/24 (校外網路)
    • 全文公開日期 2028/08/24 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    8

    製造與比較氮化鎵p-i-n光偵測器與逆偏的發光二極體
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 吳政佑 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓,晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光),在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍,…
    • 點閱:291下載:2
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